ساخت نخستين حافظه فلش گرافني

ايسنا - اين ماده در مقايسه با ماده استاندارد صنعتي از نظر انرژي دو برابر موثرتر است و مي‌تواند دو برابر اطلاعات بيشتري را ذخيره كند.

حافظه فلش براي نگهداري اطلاعات به صورت كد دودوئي سلول‌هاي ريزي استفاده مي‌كند. هر سلول را بسته به اينكه آيا با يك بار الكتريكي بارگذاري شده است يا نه، مي‌توان به عنوان صفر يا يك خواند. گرافن براي حافظه فلش يك ماده‌ي نويدبخش است، زيرا اين ماده به واسطه ظرفيت بالايي كه دارد، براي ذخيره الكترون‌ها به دليل حالت‌هاي الكترونيكي بسيار متراكم در هر كدام از سطوح انرژي‌ خود، براي نگهداري يك بار الكتريكي بسيار مناسب است.

اكنون يك گروه تحقيقاتي به رهبري «كانگ وانگ» از دانشگاه كاليفرنيا، يك ماده حافظه فلش مبتني بر گرافن (GFM) ساخته است. اين محققان كشف كردند كه اين سلول‌ها در عمل فقط هشت درصد بار الكتريكي خود را در يك دوره زماني 10 ساله از دست مي‌دهند، در حالي‌كه افزاره‌هاي مدرن كنوني، 50 درصد بار الكتريكي خود را در همان دوره زماني از دست مي‌دهند.

اين پايداري، همچنين به معني تداخل بسيار كم بين سلول‌ها است و بنابراين آنها را مي‌توان به هم نزديكتر و متراكم‌تر كرد. به همين دلايل اين ماده جديد در مراحل اوليه در زمينه ذخيره داده و راندمان انرژي بهتر از مواد استاندارد صنعتي بوده است.



«اميل سانگ» يكي از اين محققان مي‌گويد: با به كارگيري خواص بي‌نظير گرافن، حافظه فلش را مي‌توان بيشتر از آنچه حافظه‌هاي فلش مدرن كنوني مي‌توانند به آن برسند، گسترش داد.

حافظه فلش مبتني بر گرافن را مي‌توان در هر كاربردي كه در آن اطلاعات نياز به نوشتن و بازنويسي دارند، استفاده كرد. در حال حاضر اصطلاح «حافظه فلش» به درايوهاي قلمي USB محدود شده است، اما اين فناوري را مي‌توان در پردازشگرهاي دروني رايانه نيز به كار برد. قابليت اين حافظه فلش مبتني بر گرافن براي ذخيره متراكم‌تر اطلاعات مي‌تواند منجر به كوچك‌سازي بيشتر و عملكرد بهتر تجهيزات الكترونيكي كنوني شود.

به گفته اين محققان، ساخت اين ماده به اعمال شرايط سختي به گرافن از قبيل اچ كردن با پلاسماي اكسيژن و گاز كلر نياز دارد. اين حقيقت كه گرافن بعد از اين اصلاح‌ها مي‌تواند هنوز شكل و عملكرد خود را حفظ كند، به واسطه استحكام پيوندهاي كوالانسي‌اش است.

اين محققان، جزئيات نتايج كار تحقيقاتي خود را در مجله‌ي «ACS Nano» منتشر كرده‌اند.